2024 年 12 月 23 日消息，國家知識產權局信息顯示，納維達斯半導體有限公司申請一項名為“GaN 半橋電路和 GaN 自舉電源電壓發生器電路”的專利，公開號 CN 119154647 A，申請日期為 2020 年 4 月。

專利摘要顯示，公開了 GaN 半橋電路和 GaN 自舉電源電壓發生器電路。該電路包括配置為供應第一電源電壓的自舉電源電壓發生器，并且包括開關節點。該電路還包括自舉晶體管、自舉晶體管驅動電路以及與開關節點和自舉晶體管連接的自舉電容器。自舉電容器被配置為在開關節點處的電壓等于第二開關節點電壓時供應第一電源電壓，自舉晶體管被配置為在開關節點處的電壓等于第開關節點電壓時將自舉電容器與處于第二電源電壓的電源節點電連接，并且自舉電源電壓發生器不包括與自舉晶體管的漏極和源極并聯的獨立二極管。

(關鍵字：半導體)